中國研發(fā)出首臺5納米光刻機(jī)（中國五納米光刻技術(shù)取得突破）
中國研發(fā)出首臺5納米光刻機(jī)（中國五納米光刻技術(shù)取得突破）
隨著第三次科技革命的到來，芯片成為工業(yè)制造最高水平的代表，半導(dǎo)體領(lǐng)域成為各國競爭最為激烈的存在。就目前而言，美國占據(jù)著國際半導(dǎo)體行業(yè)榜首的存在，也正因?yàn)榇耍绹鴱男酒圃旆矫娉鍪郑胍萌A為與死地，從而遏制中國在5G、人工智能等高端領(lǐng)域的發(fā)展。不過中國向來都是一個(gè)不服輸?shù)膰遥谶@種情況下，任正非號召全體華為員工迎難而上，保持艱苦奮斗的華為精神，中科院、北大、清華等高等院校紛紛伸出援手，對光刻機(jī)技術(shù)的攻克，將成為中國未來發(fā)展的關(guān)鍵之一。
今年7月份，中科院發(fā)表了一篇關(guān)于當(dāng)下最先進(jìn)芯片5nm工藝制備技術(shù)的介紹，立刻引起了國內(nèi)巨大反響，許多人認(rèn)為在美國全面封鎖下，我國短時(shí)間就獲得了巨大突破。然而就在大部分國人歡呼雀躍之時(shí)，中科院緊急辟謠：國產(chǎn)5nm光刻技術(shù)，假的！中科院此次發(fā)表的雖然是關(guān)于5nm芯片制程工藝技術(shù)的，但是這并不代表中科院就已經(jīng)掌握了5nm芯片工業(yè)。
國產(chǎn)5nm光刻技術(shù)，假的？中科院緊急辟謠。該篇論文中主要闡述的是在光掩膜上獲得了重大突破，而光掩膜只是芯片制程中的一部分。同時(shí)中科院表示，就目前中國工藝水平來看，完全掌握的技術(shù)僅僅只有180nm工藝的水平。
當(dāng)然了，這里需要解釋一下的是，中科院官宣的這個(gè)180nm，指的是包括光源等一系列技術(shù)在內(nèi)，全部都是國產(chǎn)，與外國絲毫不會(huì)產(chǎn)生聯(lián)系的情況下。如果在光源上選擇進(jìn)口的話，將會(huì)直接來到90nm工藝水平。不過這個(gè)光源也不是最符合要求的，否則應(yīng)該會(huì)更高。所以綜合來看，目前我們最需要突破的技術(shù)就是當(dāng)下已極紫外光外代表的光刻機(jī)光源問題了。
對于這一官方消息，無數(shù)人是感動(dòng)不可思議的，畢竟180nm與5nm之間差得遠(yuǎn)了。當(dāng)然了，這也并不能說明中科院此前發(fā)表的關(guān)于這片5nm工藝的論文沒有絲毫作用。我們上面提到過，該文章主要闡述的是5nm工藝中的光掩膜技術(shù)，而光掩膜其實(shí)是光刻過程中覆蓋在芯片初始原料晶圓上的重要物質(zhì)，沒有光掩膜，可以說就根本沒有芯片。
而芯片工藝越高，對于光掩膜的要求自然也就越高。目前的光掩膜主要分為低端、中端以及高端三種，目前大家攻克的方向主要就是高端。我們此次關(guān)于5nm工藝光掩膜技術(shù)的攻克，其實(shí)就是當(dāng)下最高端的代表。同時(shí)這也在表明，我們的芯片技術(shù)又前進(jìn)了一大步，雖然整體依然停留在180nm，但是一旦實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵攻克，那么包括光掩膜在內(nèi)已經(jīng)準(zhǔn)備就緒的其他技術(shù)，將直接幫助中國芯片制造工藝迎來飛速的發(fā)展。
中科院的官宣雖然帶給了我們不少失望，但其成就依然是實(shí)實(shí)在在的。而且不只是中科院，當(dāng)下我國在半導(dǎo)體方面可謂是捷報(bào)頻傳。比如此前荷蘭光刻機(jī)供應(yīng)商ASML宣布加大在華投資，中芯國際、紫光國芯等半導(dǎo)體企業(yè)在芯片制造單一方面的重大突破，都表示中國芯片在呈現(xiàn)前所未有的欣欣向榮之勢。正如比爾蓋茨所預(yù)言的那樣，美國此次對中國的打壓，不是在遏制中國的發(fā)展，其實(shí)是在幫助我們發(fā)展，置之死地而后生，人類在面臨困苦艱難之下，才能爆發(fā)出更強(qiáng)大的生命力。
相關(guān)文章
